SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。実験では各層のライフタイムを独立制御するためにp型層にSiGe用い、i層では金拡散を行った。ダイオード試作の結果、リカバリ時間50ns、50A/cm^2での順方向電圧降下として1.1Vを得ることが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
成田 克
山形大学大学院理工学研究科
-
鈴木 貴彦
山形大学工学部
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
宮城 達郎
山形大学大学院理工学研究科
-
井田 雄介
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
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