低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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概要

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低コスト化が望まれている多結晶Si太陽電池において、シーメンス法を用いずに製造された、純化が不完全な低コスト多結晶Si基板を用いた太陽電池の製造技術に関心が持たれている。我々は、これまで残留すると基板のキャリアのライフタイムに影響を与えやすい、遷移金属(Cu、Ni)について1×10^<13>/cm^3程度で意図的に汚染された基板を用いて、ゲッタリングによる発電性能の高性能化の可能性を調査してきた。その結果、リンガラスを用いたゲッタリングエ程を用いることで、LSIグレード単結晶とそん色のない程度までライフタイムを回復できることがわかったが、ゲッタリングの最適温度が、不純物ごとで大きく異なり、対象不純物で工程を柔軟に変更する必要があることが明らかになった。上記技術を用いて、当該汚染基板において、16%近い発電効率がえられることがわかった。
2010-06-10

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