有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価(有機・薄膜デバイス,一般)
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概要
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我々は多結晶Si中の粒界の電荷輸送への影響を調査するために、150℃以下でSiFETを低温形成し電気特性評価を行った。低温形成は多結晶Si中の金属不純物の熱拡散によるFET特性変化を防ぐために必須である。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜として有機材料であるポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いることで、形成温度150℃以下でFET特性を得るにいたった。LSIグレードの単結晶Si基板を用いてFET試作を行い、チャネル移動度として84.2cm^2/Vsを得た。太陽電池用多結晶Si基板を用いて1個の粒界を横切るチャネルを持つFET試作を行い、移動度として3.36cm^2/Vsを得た。さらに、多結晶SiFETの移動度の温度特性を測定することにより、粒界のエネルギー障壁を求め、バンドダイアグラムの考察を行った。従来、多数の粒界を横切るキャリア輸送評価の研究はあったが、1個の粒界について本例が初めてであり、本手法は粒界固有のエネルギー障壁をより厳密に評価する上で有効である。
- 2010-04-15
著者
-
鈴木 貴彦
山形大学工学部
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学
-
廣瀬 文彦
山形大工
-
橋本 将貴
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学工学部
-
広瀬 文彦
東北大・通研
-
廣瀬 文彦
山形大学 工学部
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