有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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スイッチング式電力制御回路に用いられている、pinダイオードのp層にSiGeを用いることで順方向電圧を劣化させずに逆方向回復時間を低減することを実証した。この結果により、pinダイオードと同じ電荷蓄積機構を持つInsulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)にSiGeを用いることで高速化を図ろうと考えた。SiGeは、高温酸化によりGe濃度が変化するため、高温処理を必要としない有機材料であるポリメタクリル酸メチル(PMMA)をゲートの絶縁膜としたIGBTの作製プロセスを開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-16
著者
-
成田 克
山形大学大学院理工学研究科
-
鈴木 貴彦
山形大学工学部
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
宮城 達郎
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学
-
廣瀬 文彦
山形大工
-
井田 雄介
山形大学大学院理工学研究科
-
広瀬 文彦
東北大・通研
-
廣瀬 文彦
山形大学 工学部
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
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