塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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メタルゲートMOSの主要構成要素であるNiシリサイド薄膜製造について、ポリシリコン薄膜に塩化Niを含有する塩素プラズマをあてると、280℃という低温でシリサイド化することを見出した。本プロセスの特徴として、プロセス時間でシリサイドのNi濃度を25%からほぼ80%まで自在に変化させることができる。本プロセスはMOSデバイスのゲートメタル膜作製にも利用可能あり、Ni濃度を変化させることで、MOSFETの閾値電圧を調整することが可能であり、CMOSプロセスにも好適である。高解像度TEMの観測によれば、本プロセスにより作製されたMOS界面において不純物偏析はみられず、原子精度で平たんな界面が形成できることがわかった。
- 2009-10-22
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