6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(有機・薄膜デバイス,一般)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
高移動度p型有機半導体としてしられるチオフェンオリゴマーのαゼクチオフェンを用いてn-Siとのヘテロ接合ダイオードを試作した。ダイオードは良好な整流特性を示すほか、そのJ-V特性からMIS型ショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-VとC-V解析から、ショットキーダイオードとしての諸特性、すなわちショットキー障壁φ_B、内蔵電位φ_<bi>をそれぞれ求めた。また理想係数nが3.3と高い数値が得られていることから、有機無機ヘテロ界面に薄い絶縁層が形成されていることもわかった。薄い絶縁層の厚みは25nmと推定される。また内蔵電位は0.4Vであり、Si層の界面付近に空乏層が形成されており、光が入射するとそこで電荷分離が起こり、発電動作が起きることも分かった。試作太陽電池では0.4%の発電効率があり、電力発電の用途のほか、光センサーや太陽電池用の不活性化膜としての用途も期待される。
2010-04-15

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク