P3HT/n-Si有機無機ヘテロ接合ダイオードにおける界面処理の電気特性への影響(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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スピンコート法でP3HT/n-Siヘテロ接合ダイオードを製作し、1-V測定で電気的特性を評価した。このプロセスに対して、Si表面の前処理としてSiC処理、スピンコート後の処理としてHF酸浸漬処理を試験したところ、いずれの処理でも順方向電流の増強が見られた。XPS分析によると、各処理によってヘテロ界面での層間膜SiO_xの膜厚が異なり、膜厚を抑えることが順方向電流の特性改善に関与している可能性が示された。MIS構造の解析モデルであるCardらのモデルを用いて測定した特性を解析しモデルの妥当性の検討を行った。
- 2012-04-11
著者
-
広瀬 文彦
山形大:jst
-
鹿又 健作
山形大学大学院理工学研究科
-
大山 直樹
山形大学大学院理工学研究科
-
金子 翔
山形大学大学院理工学研究科
-
広瀬 文彦
東北大・通研
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
-
大山 直樹
山形大学大学院 理工学研究科
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