FeおよびFeSi積層膜からの固相反応法によるSi上鉄シリサイド薄膜形成(簿膜プロセス・材料,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
直接遷移半導体膜として期待されるβ-FeSi_2をSi上に鉄あるいは鉄シリサイド膜を形成して、固相反応法を用いて作製した。蒸着膜が純Feと、FeとSiを混合したFeSiとで、β-FeSi_2の成膜温度および膜質の比較を行った。蒸着材料に関わらず、膜の結晶性はアニール温度によって変化し、β-FeSi_2のできる温度は、初期膜厚が増加するに伴って、高温化することがわかった。反応残渣として表面に現れる鉄アイランドを除去するために、塩化第二鉄溶液によるエッチングが有効であることを見出した。固相反応法として、60nm程度の厚膜β-FeSi_2が形成できることを示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
著者
-
鹿又 健作
山形大学大学院理工学研究科
-
久保田 繁
山形大学大学院理工学研究科
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
-
籾山 克章
山形大学大学院 理工学研究科
-
有馬 ボシールアハンマド
山形大学大学院理工学研究科
関連論文
- 半導体工学教育用簡易MOFET作製プロセス
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 妨害刺激を用いたワーキングメモリータスクに関する2層神経場モデル
- 共通ノイズによる局在興奮の確率共振
- アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性(TFT(有機,酸化物),一般)
- 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- リアプノフ汎関数を用いた神経場方程式の大域的ダイナミクスの解析
- カオスニューラルネットワークによる強迫性障害モデル : 行動療法及び外科手術の統一的説明
- 6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(有機・薄膜デバイス,一般)
- 有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- N719色素吸着制御による色素増感太陽電池の高効率化(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 太陽電池用アモルファスSi薄膜のキャリア濃度測定と発電特性シミュレーション
- 北嶋・馮・久保田研究室
- γ→β振動シフト現象における受容体チャネルの役割
- ペンタセン/シリコン有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(光記録技術・電子材料,一般)
- 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作(光記録技術・電子材料,一般)
- MCR-CVD法によるフッ素フリータングステン成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価(光記録技術・電子材料,一般)
- 神経場方程式の孤立局在興奮の解析法について
- 神経場方程式の孤立局在興奮の解析法について
- 高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
- P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 色素増感太陽電池用N719色素のTiO_2表面上の吸着構造評価
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード
- TOF法・4端子法を用いた有機半導体層のキャリア輸送特性評価
- OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価
- 赤外吸収分光法を用いたHfO_2原子層堆積法の反応素過程評価
- P3HT/n-Si有機無機接合ヘテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)
- P3HT/n-Si有機無機ヘテロ接合ダイオードにおける界面処理の電気特性への影響(TFT(有機,酸化物),一般)
- 有機ゲートTFTを用いた多結晶Si粒界のキャリア輸送機構評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 真空脱水処理法を用いた色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),一般)
- 有機太陽電池の光伝搬解析と反射防止構造の設計(TFT(有機,酸化物),一般)
- N719色素増感太陽電池における色素/酸化チタン界面のその場観察(TFT(有機,酸化物),一般)
- MoOxホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池のAg微粒子導入効果
- 有機太陽電池の反射防止多層膜のロバスト最適化
- 赤外吸収分光を用いたシリコン酸化膜の室温原子層堆積法の素過程評価
- FeおよびFeSi蒸着材料からの固相反応法による鉄シリサイド薄膜の作製と評価
- 塩素還元化学気相成長法を用いたSiの低温薄膜形成
- P3HT/n-Siヘテロ接合を用いた太陽電池の高効率化検討
- パーキンソン病における大脳基底核のバースト振動
- 真空脱水処理法を用いた色素増感太陽電池の試作と評価(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- フレキシブル・ソフトマテリアル上の室温シリカコーティング(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- PEDOT:PSS/n-Siヘテロ接合太陽電池の試作と評価(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- 真空脱水処理法を用いた色素増感太陽電池の高効率化
- N719色素増感太陽電池における色素/酸化チタン界面のその場観察
- プラズマ励起原子層堆積法による室温酸化チタン成膜(簿膜プロセス・材料,一般)
- 塩素還元化学気相成長法を用いたSiの低温薄膜形成
- FeおよびFeSi積層膜からの固相反応法によるSi上鉄シリサイド薄膜形成(簿膜プロセス・材料,一般)
- MoOxホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池のAg微粒子導入効果
- FeおよびFeSi蒸着材料からの固相反応法による鉄シリサイド薄膜の作製と評価
- P3HT/n-Siヘテロ接合を用いた太陽電池の高効率化検討