P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果
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概要
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P3HT has attracted much attention as a source material of organic field effect transistors (OFETs) because it is easily solved with a chloroform solution to be instantly casted as a film. We have investigated effects of chemical modification on oxide surfaces of P3HT OFETs on the electric performance. We have confirmed HMDS treatments are effective to improve the transconductunce of OFETs. We discuss the mechanism of the chemical treatment on the OFET operation in the present paper.
- 2007-08-02
著者
-
板谷 謹悟
WPI Advanced Institute for Material Research, Tohoku University
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
庭野 道夫
東北大通研
-
庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
-
松島 優
山形大学大学院理工学研究科
-
小岩 恭祐
山形大学大学院理工学研究科
-
テイ ヘンシン
山形大学大学院理工学研究科
-
木村 康男
東北大通研ナノスピン
-
板谷 謹悟
東北大学大学院理工学研究科
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
板谷 謹悟
Wpi Advanced Institute For Material Research Tohoku University
-
Kimura Yasuo
Department Of Biological And Environmental Chemistry Tottori University
-
テイ ヘンシン
山形大学大学院 理工学研究科
-
板谷 謹悟
東北大学大学院
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
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