SiGeアノード層を用いた高速リカバリ pin ダイオード
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概要
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Fast-recovery and low on-state-forward-voltage drop (Vf) in pin-diodes can be simultaneously obtained with a relaxed SiGe crystal anode layer. We have successfully fabricated 280V-class SiGe pin diodes with a recovery time of 160ns and Vf of 0.86V at a forward current density of 100A/cm2. A device simulation predicts a possibility of Vf=0.7V@100A /cm2 and a recovery time of 20ns by controlling carrier lifetimes at p and i layers independently with SiGe.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-11-01
著者
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