高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
有機電界効果トランジスタ(有機FET)の大電流化を目的に、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)膜への熱処理の効果を、有機FETの試作・評価、およびX線回折法(XRD)を用いて調べた。これまで同種の有機FETは室温に近い温度で乾燥し形成されていたが、我々は室温から350℃の範囲で熱処理効果を確かめた結果、この温度範囲で温度が高くなるにつれて電界効果移動度は増加し、電極/有機膜界面のコンタクト抵抗は減少することを見出した。また、XRDによる結晶化を示すピークは減少した。熱処理効果により効果的にFET特性を改善でき、そのメカニズムについて考察した。
- 2007-08-02
著者
-
板谷 謹悟
WPI Advanced Institute for Material Research, Tohoku University
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院理工学研究科
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大通研
-
庭野 道夫
東北大学大学院医工学研究科
-
松島 優
山形大学大学院理工学研究科
-
小岩 恭祐
山形大学大学院理工学研究科
-
テイ ヘンシン
山形大学大学院理工学研究科
-
木村 康男
東北大通研ナノスピン
-
板谷 謹悟
東北大学大学院理工学研究科
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
庭野 道夫
東北大
-
板谷 謹悟
Wpi Advanced Institute For Material Research Tohoku University
-
Kimura Yasuo
Department Of Biological And Environmental Chemistry Tottori University
-
テイ ヘンシン
山形大学大学院 理工学研究科
-
板谷 謹悟
東北大学大学院
-
廣瀬 文彦
山形大学大学院 理工学研究科
関連論文
- 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価 (電子部品・材料)
- 原子・分子レベルを有する電極表面科学の最近の進捗
- 半導体工学教育用簡易MOFET作製プロセス
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 表面赤外分光法を用いた抗原抗体反応の非標識検出 : 二次構造解析による特異・非特異信号の識別
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 多重内部反射型赤外吸収分光法を用いた有機デバイスの評価(有機材料,一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- アリール基を置換したチオフェンオリゴマーの合成とOFET特性(TFT(有機,酸化物),一般)
- 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-3-10 移動回折格子によるヘテロダイン方式フーリエ変換赤外分光法
- 山形大学における3年次学生実験への創成テーマの導入事例
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法と多重内部型赤外吸収分光法で調べた有機FETの光誘起ドーピング : 有機薄膜と酸素分子間の電荷移動現象
- 変位電流評価法で調べたペンタセン有機電界効果トランジスタ界面のキャリア挙動
- Si(100)-2×1表面上ナフタレン吸着の赤外吸収分光解析
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体 / 電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス, MEMS, 一般)
- 変位電流評価法で調べた有機FETのキャリア注入特性 : 有機半導体/電極界面の状態がFET特性に与える影響(センサデバイス・MEMS・一般)
- ソフトナノテクノロジーのための計測技術
- 低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 6T/n-Si有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(有機・薄膜デバイス,一般)
- 有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6T/TiO_2接合を用いた有機無機ヘテロダイオードの光応答特性(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- SiGeをアノード層に用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- N719色素吸着制御による色素増感太陽電池の高効率化(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 高分子系有機薄膜トランジスタの熱処理効果(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 太陽電池用アモルファスSi薄膜のキャリア濃度測定と発電特性シミュレーション
- 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価(有機・薄膜デバイス,一般)
- 色素増感太陽電池のための透明電極上への酸化チタンナノチューブの形成(有機・薄膜デバイス,一般)
- 色素増感太陽電池応用に向けた陽極酸化チタンナノチューブの作製と応用(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- イオン液体を用いたP3HT有機トランジスタの作製と評価(有機・薄膜デバイス,一般)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- ペンタセン/シリコン有機無機接合ダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(光記録技術・電子材料,一般)
- 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作(光記録技術・電子材料,一般)
- MCR-CVD法によるフッ素フリータングステン成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 酸素プラズマ中でのSi表面水素の拳動
- 半導体表面・界面反応の赤外分光観察
- 18aTF-6 SiH_2Cl_2分子の吸着・熱分解過程における表面水素の挙動
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価(光記録技術・電子材料,一般)
- C-11-7 多重内部反射型赤外分光法を用いたSiウェーハ上の汚染位置検出
- MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成
- 有機半導体完全結晶の創製と電子特性 : 固液界面アトムプロセスの応用(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- フラーレンの超分子形成に及ぼすAu(111)上におけるニッケルポルフィリン単分子膜の効果
- 酸化チタンナノチューブの色素増感太陽電池への応用とその評価(TFT(有機,酸化物),一般)
- 高分子系有機トランジスタの有機半導体層への熱処理効果
- P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 色素増感太陽電池用N719色素のTiO_2表面上の吸着構造評価
- CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成
- Time-of-flight法を用いたルブレン有機単結晶のキャリア輸送特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 溶液中電気化学STMによる電極表面構造解析
- 電気化学の将来展望
- 水溶液中及び真空中における芳香族分子の吸着
- アルカリ溶液中におけるCu(100)およびCu(110)上のイオウの吸着と硫化銅の生成
- 超高真空-電気化学複合装置による電極表面の研究
- 電極表面科学の新展開
- 電気化学STM
- Cu電極表面の電気化学STMによる研究
- 原子・分子レベルで見た電極表面 (特集 電気化学の学際的展開)
- 原子レベルでの金属/溶液界面の構造と反応解明(分析・解析)
- 原子・分子レベルで見る固液界面
- 電極表面科学
- 電気化学走査型トンネル顕微鏡
- 原子レベルでの固液界面構造解析
- ここまで見える電極表面
- 半導体表面の化学エッチング過程の原子レベル解析
- 赤外吸収分光法を用いたHfO2原子層堆積法の反応素過程評価 (電子部品・材料)
- SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード
- TOF法・4端子法を用いた有機半導体層のキャリア輸送特性評価
- SiGeアノード層を用いた高速リカバリ pin ダイオード
- MoO_3ホール輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の発電特性(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価
- 赤外吸収分光法を用いたHfO_2原子層堆積法の反応素過程評価
- P3HT/n-Si有機無機接合ヘテロダイオードの電荷注入機構と発電特性の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高温溶媒吸着法による色素増感太陽電池の高効率化(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析
- 高溶解性チオフェンオリゴマーの塗布製膜性と有機薄膜太陽電池特性(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機太陽電池の光伝搬解析と反射防止構造の設計(TFT(有機,酸化物),一般)