C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
森山 学
長岡技術科学大学
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
成田 克
山形大学
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