ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
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概要
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ヘリカルアンテナにより励起した窒素及びNH_3プラズマの特性評価とそれらを用いたGaAs結晶の表面窒化により得られた絶縁層の特性について調べた。両プラズマの特性を調べた結果、NH_3プラズマで若干電子温度が低く、また欠陥の終端効果が期待される水素原子や水素を含むラジカルが高密度に生成されていることが分かった。GaAs表面窒化特性についてはNH_3プラズマを用いることにより酸素の取り込みや界面欠陥密度が大きく低減されることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
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