STMを用いたMMSiにより形成されるSi(001)-c(4×4)構造の評価(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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モノメチルシランやジメチルシラン等の有機ケイ素化合物を用いたSi(001)面上への3C-SiC成長初期過程において,SiC核発生に先立ちc(4×4)構造が形成される。このc(4×4)構造が形成された表面に対し走査トンネル顕微鏡(STM)観察を行なった結果,表面にはc(4×4)領域と(2×1)領域が共存していることが分かった。また,それらの領域についてのlineprofile測定により格子定数を見積もったところ,c(4×4)領域は縮んでいることからこのドメインがSiC核発生を促すサイトになっているのではないかと推察された。又,大きく広がったc(4×4)構造のドメインについて観察を行なった結果,これまでに報告されているのと同様に,α-cellとβ-cellの2種類のユニットセルから構成されていることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
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