第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Alドープ酸化亜鉛(AZO)の堆積において第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いることで従来のrfマグネトロンスパッタ法よりも基板面内の均一性が改善することを見出してきた.AZO膜の更なる低抵抗化を目指して,酸化亜鉛(ZnO)中で浅いドナー準位を形成する水素のドーピング効果を調べるためAZO堆積膜に水素プラズマアニールを行った.その結果,水素ドープによるキャリア密度の増加と共にホール移動度の向上に効果があった.
- 2008-10-23
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
大島 穣
長岡技術科学大学工学部
-
新保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
大島 穣
長岡技術科学大学
-
牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
片桐 裕則
長岡工業高専
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