モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Si(001)-2x1清浄表面上にモノメチルゲルマン(MMGe: GeH_3CH_3)を用いて高密度Geナノドットの形成を行った。ドットの高密度化を図るため,基板温度を高温と低温に交互に繰り返すパルス制御核発生法を用いた.その結果,Si(001)表面上に密度1.3x10^<12>cm^<-2>,平均ドット径6nm,標準偏差1nmの高密度で均一なナノドット形成に成功した.また,反射高エネルギ電子線回折(RHEED),走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面構造観察から表面層にGe(SiGe)ナノドットとSiCドットが存在していることが確認された.
- 2007-11-09
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
須藤 晴紀
長岡技術科学大学
-
荻原 智明
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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