C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒田 朋義
長岡技術科学大学
-
大谷 孝史
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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