黒田 朋義 | 長岡技術科学大学

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概要

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• 長岡技術科学大学の論文著者

関連著者

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 黒田 朋義

  長岡技術科学大学

• 西山 洋

  長岡技術科学大学

• 三浦 仁嗣

  長岡技術科学大学

• 大谷 孝史

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 田原 将巳

  長岡技科大工

• 田原 将巳

  長岡技術科学大学

• 井上 泰宣

  長岡技術科学大学

• 三浦 仁嗣

  長岡技科大工

• 黒田 朋義

  長岡技科大工

• 西山 洋

  長岡技科大工

• 須藤 晴紀

  長岡技術科学大学

• 西山 洋

  長岡技科大

• 永田 一樹

  長岡技術科学大学

• 田原 将巳

  長岡技術科学大学工学部

• 永田 一樹

  長岡技科大工

• 安井 寛治

  長岡技科大工

• 安井 寛治

  長岡技科大

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著作論文

• Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
• C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-1 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnOエピタキシャル薄膜の成長技術(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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