触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
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概要
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ジルコニア粒子に担持した白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法を開発した。この高エネルギーH_2O分子とアルキル亜鉛ガスとの反応により生成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、サファイア基板上にZnO結晶膜を成長させた。a面サファイア基板上に成長させたZnO膜についてHall効果測定を行ったところ室温でのHall移動度168cm^2/Vs、残留キャリア密度1.6×10^<17>cm^<-3>という従来のMOCVD法によるZnO結晶膜に比べはるかに良好な電気伝導特性を示した。またX線回折パターンでは(0002)および(0004)回折等、c軸配向を示す回折線のみがみられ(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は273arcsecと小さく配向性も良好であった。サファイア基板をリファレンスにしたサンプルの透過率は、可視・近赤外領域で95%以上と非常に透明であった。
- 2010-07-22
著者
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒田 朋義
長岡技術科学大学
-
田原 将巳
長岡技術科学大学工学部
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
田原 将巳
長岡技科大工
-
田原 将巳
長岡技術科学大学
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