三浦 仁嗣 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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西山 洋
長岡技術科学大学
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田原 将巳
長岡技科大工
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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黒田 朋義
長岡技術科学大学
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技科大工
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里本 宗一
長岡技科大
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安井 寛治
長岡技科大
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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三浦 仁嗣
長岡技科大工
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西山 洋
長岡技科大工
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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西山 洋
長岡技科大
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安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
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大谷 孝史
長岡技術科学大学
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技科大工
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井上 泰宣
長岡技術科学大学
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
永田 一樹
長岡技科大工
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黒田 朋義
長岡技科大工
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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宮口 孝司
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
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田原 将巳
長岡技術科学大学工学部
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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佐藤 健
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
-
牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
著作論文
- 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長
- C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnOエピタキシャル薄膜の成長技術(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-7 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnOエピタキシャル薄膜の光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)