高田 雅介 | 長岡技科大
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概要
関連著者
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高田 雅介
長岡技科大
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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渡辺 裕一
長岡技術科学大学電気系
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渡辺 裕一
長岡技科大
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高田 雅介
東京大学工学部
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柳田 博明
東京大学工学部工業化学科
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柳田 博明
東京大学工学部 学術振興会ロンドン研究連絡センター 前環境安全研究センター. 元先端科学技術研究センター
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柳田 博明
東京大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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川副 博司
東工大工材研
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工高専
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片桐 裕則
長岡工業高専
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成田 克
山形大学工学部
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
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岩井 裕
長岡工高専
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荻原 智明
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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齋藤 健次
長岡技術科学大学
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山下 努
長岡技科大
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斉藤 宏
長岡工高専
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井上 泰宣
長岡技術科学大学
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成田 克
九州工業大学工学部
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末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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山下 努
弘前大 理工
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西山 洋
長岡技術科学大学
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金丸 哲史
長岡技術科学大学
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岡元 智一郎
長岡技術科学大学 電気系
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河合 晃
長岡技術科学大学工学部電気系
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中島 健介
長岡技科大
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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弘津 禎彦
長岡技科大
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小前 泰彰
長岡技術科学大学
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末光 眞希
東北大通研
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黒田 朋義
長岡技術科学大学
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大島 穣
長岡技術科学大学工学部
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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朝野 章
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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田村 和之
長岡技術科学大学
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松田 元秀
長岡技科大
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須藤 晴紀
長岡技術科学大学
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大島 穣
長岡技術科学大学
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岩井 裕
長岡高専
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斉藤 宏
長岡高専
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田村 和之
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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小前 泰彰
長岡技術科学大学電気系
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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Huybrechts Ben
長岡技術科学大学工学部電気系 :(現)ベルギー・フランダース政府企業誘政局
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河合 晃
長岡技術科学大学工学部
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神保 和夫
長岡工業高専
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大石 潔
長岡技術科学大学
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中島 健介
山形大学大学院理工学研究科
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大見 忠弘
東北大学
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橋本 誠司
群馬大学
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久保田 弘
熊本大学
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山下 努
東北大学電気通信研究所
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岩井 裕
長岡技科大
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齋藤 健
長岡技術科学大学
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浜上 寿一
長岡技術科学大学電気系
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濱上 寿一
長岡技科大
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呉 龍洙
長岡技科大
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小坂 光二
熊本大学
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久保田 弘
熊本大学工学部
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橋本 誠司
群馬大学 工学部
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上村 篤嗣
長岡技術科学大学
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Noguchi Yutaka
Department Of Machine Intelligence And System Engineering Intelligent System Design Laboratory Tohok
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
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古曵 重美
長岡技術科学大学技術開発センタ-
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斉藤 宏
長岡工業高専
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陸 鴻
長岡技術科学大学
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永田 一志
三菱電機株式会社ulsi開発研究所
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大原 智
長岡技科大
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堺 三洋
長岡技科大
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植田 尚之
東工大工材研
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熊谷 武司
長岡技術科学大学工学部電気系
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村上 吉昭
日東シンコー開発本部
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川本 昂
福井工業高等専門学校
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岡元 智一郎
長岡技科大工学部
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栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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村田 雄三
長岡技科大
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長倉 繁麿
長岡技科大
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小坂 光二
熊本テクノロジー
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菱田 俊一
物材機構
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菱田 俊一
東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科
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菱田 俊一
物質・材料研究機構 物質研究所
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宮口 孝司
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
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栗田 学
石川島播磨重工業(株)技術研究所
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坪根 大輔
東京工業試験所
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石井 守
日本セメント(株)中央研究所
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塚本 恵三
日本セメント(株)中央研究所
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下嶋 浩正
日本セメント(株)中央研究所
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山岸 千丈
日本セメント(株)中央研究所
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柳田 博明
東京大学工学部・環境安全研究センター
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山田 覚
長岡工業高等専門学校
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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塩沢 正行
東京大学薬学部
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成田 賢一
東京大学工学部
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藤田 勇三郎
東京大学工学部
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水野 峰男
(財)ファインセラミックスセンター
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石崎 幸三
長岡技科大
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梅垣 高士
東京都立大学
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小林 孝浩
長岡高専
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大谷 孝史
長岡技術科学大学
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中村 吉男
東京工大・工
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弘津 禎彦
大阪大学産業科学研究所高次制御材料科学研究部門材料機能物性研究分野
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ジョング ミンニョク
長岡技術科学大学
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小坂 光二
テック・コンシェルジェ熊本
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チョング ニョク
長岡技術科学大学
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野口 祐二
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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ハニフ モハマド
長岡技術科学大学工学部
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新保 和夫
長岡工業高等専門学校
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溝口 拓
東工大工材研
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柳田 博明
東京大学工学部:東京大学環境安全センター
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永田 一志
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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永田 一志
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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尾辻 美紅
長岡技術科学大学
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高橋 和希
長岡技術科学大学
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山下 仁大
都立大工
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梅垣 高士
都立大工
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岡本 祥一
長岡高専
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佐藤 健
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
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河合 晃
三菱電機(株)ULSI研究所
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菱田 俊一
科学技術庁無機材質研究所
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遠藤 浩
長岡技科大
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仙波 裕隆
小野田セメント
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林 みつる
長岡技科大
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大嶋 清
長岡技科大
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岩佐 和孝
長岡技科大
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下嶋 浩正
日本セメント
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齊藤 健次
長岡技術科学大学
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築地 正俊
長岡技術科学大学
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グイエン フォン
長岡技術科学大学
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宮山 勝
東京大学工学部工業化学科
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松村 道雄
大阪大学基礎工学部
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松平 繁幸
大阪大学基礎工学部
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坪村 宏
大阪大学基礎工学部
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木島 衛
東京大学工学部工業化学科
-
杉山 達夫
東京大学工学部工業化学科
-
坪根 大輔
東京大学工学部工業化学科
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
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岩井 裕
長岡工業高専
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星 義明
長岡高専
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山岸 千丈
太平洋セメント(株)
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山岸 千丈
日本セメント(株)
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
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三浦 伸一
長岡技術科学大学工学部電気系
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ハニフ モハマド
長岡技術科学大学
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水野 峰男
(財)ファインセラミックスセンター 材料技術研究所
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野口 祐二
セラミックス編集委員
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野口 祐二
長岡技術科学大学工学部電気系
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塚本 惠三
日本セメント(株)
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高田 雅介
Nagaoka University Of Technology
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栗田 学
石川島はりま重工業技研基礎化学部
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井 裕
長岡工業高専
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坪村 宏
大阪大学
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湊 賢一
長岡技術科学大学工学部
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根崎 大
長岡技術科学大学工学部
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砂取 久哉
長岡技術科学大学電気系
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川上 圭一
東京大学工学部工業化学科
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砂取 久哉
長岡技術科学大学電気系:(現)ケーブル・アンド・ワイヤレスidc(株)
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塚本 恵三
日本セメント(株)
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石井 守
日本セメント(株)
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山下 努
東北大学電気通信建研究所
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富岡 修
長岡技科大大学院
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富岡 修
長岡技科大
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岩槻 正志
日本電子KK
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中村 吉男
東京工大
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原田 嘉晏
日本電子KK
-
石井 守
長岡技科大
著作論文
- 室温作動型オプティカル水素センサの研究 (特集 長岡技術科学大学)
- 中間CIP法による高温超伝導体の磁気シールド特性の向上
- 5a-PS-54 Bi-Sr-Ca-Cu-O系における高T_c超伝導相の生成
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 2C37 光検知式水素ガスセンサーの作製と評価 : II. Pd/MoO_3 素子の検出感度特性
- 2C36 光検知式水素ガスセンサーの作製と評価 : I. Pd/WO_3 素子の繰り返し検知特性
- Nb_2O_5を添加したTiO_2焼結体の水の陽極光酸化への応用
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 615 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの高速モーション制御
- 非共振型超音波モータを用いた精密ステージの連続軌跡追従制御系の構成法
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 3C26 高温超伝導体の微細構造と磁束の侵入
- 3B18 イオン注入法によって作製した Fe_16N_2 薄膜の磁気特性
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- 原子間力顕微鏡を用いた無機材料とポリマー間の接着強度の測定法
- レジスト微細パタ-ン内の熱応力分布と接着特性
- 3D27 Ag_2O 添加により作製した YBa_2Cu_4O_8 超伝導体の臨界電流密度
- 2E05 SnOx 薄膜の非線形光学特性
- 2E04 スピネル型酸化物の電子構造と非線形光学特性
- 3D20 非晶質 In-Se 系半導体の電気的・光学的性質
- 3C35 YBa_2Cu_4O_8 超伝導体の常圧酸素下での作製とその特性
- 3C34 La_Sr_xCaCu_2O_ 超伝導体の高酸素圧下での作製とその特性
- 3B35 非共鳴非線形光学材料の設計 : 電子構造解析と材料設計
- 3B34 非共鳴非線形光学材料の設計 : SnO_2 の電子構造と大きな x^ の起源
- 3B33 非共鳴非線形光学材料の設計 : ルチル構造をもつ酸化物薄膜の 3 次非線形感受率の評価
- 3B32 非共鳴非線形光学材料の設計 : 3 次非線形材料探索の作業仮説
- 2D18 CdS 微粒子ドープガラス薄膜の作製と評価
- ホットスポット酸素センサに関する研究 (特集 長岡技術科学大学)
- セラミックスにおけるホットスポット現象を利用した酸素センサ
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- 31p-PS-104 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0系に対するY_2O_3添加と2223相の安定性
- 多層カーボンナノチューブを用いた水素ガスセンサ(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
- Nb_2O_5の添加によるアナターゼル-ルチル転移の抑制
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
- 酸化ビスマスの多形転移と比抵抗
- 色素増感光電池用の酸化亜鉛多孔質電極
- 機能性セラミック材料
- 酸化物半導体の導電率に及ぼすガス吸着効果
- 今年の米国におけるセラミックスの研究動向
- 多孔質セラミック半導体の研究
- 複合構造をつくる (電子セラミックス開発の手法)
- セラミックス研究の動向--米国窯業学会年会発表を中心として
- TiO_2焼結体の電気伝導におよぼすAl_2O_3およびNb_2O_5の添加効果
- Al_2O_3を添加したZnO焼結体の電気伝導度
- 2A06 Y_2Ba_4Cu_7O_y(247 相)の酸素アニールと臨界温度
- 31p-PS-103 Bi-Pb系超伝導酸化物におけるPbO固溶限の酸素分圧依存性
- 5a-ZA-2 Bi-Pb系超伝導酸化物におけるPbの固溶度
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 接触角法により測定した遷移金属薄膜の表面自由エネルギ-の分散及び極性成分
- 多層カーボンナノチューブを用いた水素ガスセンサ
- この人にきく
- 多結晶YBa_2Cu_3O_超伝導体の局所臨界電流密度の磁場依存性I-測定法
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- VAMASプロジェクトとその活動状況
- 遷移金属薄膜上に形成したBaTiO_3薄膜の熱処理時の接着挙動
- 酸化物薄膜中の酸素深さ方向分布定量分析
- 準結晶のキャラクタリゼ-ション
- SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-6 MMGeを用いたSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- TiO_2を添加したBaTiO_3多結晶体における液相生成と直流導電率
- ホットスポット現象を用いた通電加熱法による高温超伝導線材の合成
- 高温超伝導線の微細構造及び臨界電流密度に及ぼす赤熱点の効果
- 28p-APS-65 酸素1気圧下で作製したY_Ca_xBa_2Cu_4O_8の超伝導
- プロセス : 新規プロセス-通電加熱法
- セラミックスにおけるホットスポット現象を利用した酸素センサ
- La添加BaTiO_3セラミックス線材のホットスポット現象
- 長岡技術科学大学における実務訓練 : 元祖インターンシップ(インターンシップ)
- ホットスポット現象が創出する新規巨大機能物性-振動電流 (特集 巨大機能物性セラミックスの最新動向)
- ホットスポット現象を利用した巨大非線形電流-電圧特性 (特集 巨大機能物性を生むセラミックス)
- タイトル無し
- タイトル無し
- 31a-PS-50 (Bi_Pb_x)-Sr-Ca-Cu-O系高Tc超伝導相の作成と電気的性質(31a PS 低温(酸化物超伝導))