安部 和貴 | 長岡技術科学大学電気系
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
-
遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
成田 克
九州工業大学工学部
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
成田 克
山形大学
-
宮口 孝司
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
-
井上 泰宣
長岡技術科学大学
-
末光 眞希
東北大通研
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
佐藤 健
新潟県工業技術総合研究所レーザー・ナノテク研究室
著作論文
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)