ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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窒化ガリウム(GaN)は、wide-bandgap半導体で短波長、高温で動作する光デバイスとして用いられている。我々はこれまで、メッシュ状のタングステン(W)を用いたHot-mesh CVD法によりAlN/SiC/Si上へGaN膜を成長を試みてきた。得られた膜はWメッシュ温度1200℃において良好な結晶性、光学特性を示した。今回、さらにメッシュ温度の低温化を目指し、RuをコートしたWメッシュを用いてGaN成長を試みた。その結果、RuコートしたWメッシュを用いることで、1100℃以下の低温成長において結晶性や光学特性が改善した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
成田 克
九州工業大学工学部
-
安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
成田 克
山形大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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