MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長
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概要
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水素希釈したモノメチルシラン(MMSi)を用い、トライオードプラズマCVD法により、Si基板上に直接3C-SiCエピタキシャル膜を成長させた。成長速度の温度依存性、X線回折、そして赤外吸収スペクトルの測定より、成長の活性化エネルギー、エピタキシャル膜の結晶性・配向性、そしてSi-C結合状態についてそれぞれ評価した。その結果、負のグリッドバイアス条件においてトライオードプラズマCVD法は、モノメチルシランを用いた低温での3C-SiCのエピタキシャル成長に有効であることが分かった。
- 2000-10-20
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