ヘリカルアンテナを用いたアンモニアプラズマの生成と半導体表面窒化の試み
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概要
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ヘリカルアンテナを用いて高密度アンモニアプラズマの生成を行い、高周波補償ラングミュアプローブを用いたプラズマパラメータの評価や、発光分光分析によりアンモニアプラズマ中の活性種密度の評価を行なった。その結果、モードジャンプにより低密度プラズマから高密度、低電子温度のプラズマへの変化を確認した。また、GaAs(100)結晶表面の窒化を行ない、形成された窒化層の結合状態をXPSで評価すると共にI-V特性、C-V特性の評価も行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
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