MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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モノメチルシラン(MMS)を原料に用いたSi(001)表面上へのSiC成長初期における表面構造変化について走査型トンネル顕微鏡及ぴマスフィルタ型ガス分析計を用いて解析を行った.成長初期において原料中に含まれる炭素原子のSi基板内への拡散に伴いc(4×4)構造領域が広がることが分かった.また,表面全域がc(4×4)構造で覆われた時点では初期の2×1表面と比較して,表面上に存在したダイマー欠損などの欠陥の密度が減少すること及びステップパンチングが生じることが分かった.こうした2つの現象が同時に生じることはMMSを原料として用いた場合にのみ見られる現象であり,c(4×4)構造をナノ構造形成のテンプレートとして利用する上で重要であると考えられた.更に,SiC核が発生した時点では,表面歪に起因すると考えられる核周辺でのc(4×4)から2×nへの構造変化が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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