ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)CVD法を用い,モノメチルシランを原料ガスとして,SOI構造基板上への3C-SiC膜の低温ヘテロエピタキシャル成長を試みた.その結果,従来の常圧または,減圧CVD法では難しいとされる低温(750℃)でのヘテロエピタキシャル成長に成功した.さらに,この低温エピタキシャル成長により,薄いtop-Si層内に発生し易いボイドの形成を抑制し,SiC/Si界面の良好なSiC成長に成功した.また犠牲酸化によりtop-Si層厚を薄くしたSOI基板上に成長したところ,12nm以下のtop-Si層上への成長において結晶性の向上が見られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
井上 泰宣
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
-
牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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