Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
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概要
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高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルの反応性を利用したホットメッシュ(HM-)CVD法を用い,モノメチルシランを原料ガスとして,SOI構造基板上への3C-SiC膜の低温へテロエピタキシャル成長を試みた.その結果,従来の常圧または,減圧CVD法では難しいとされる低温(750℃)でのヘテロエピタキシャル成長に成功した.さらに,このような低温エピタキシャル成長により,炭化層なしでのエピタキシャル成長においてtop-Si層内に発生するボイドの形成が抑制された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-31
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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