ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe,SiCナノドットに対して,構造,表面組成を調べると共に,SiまたはSiCによりキャッピングした構造におけるフォトルミネッセンス(PL)の測定を行った.走査型トンネル顕微鏡(STM)観察によりドット平均径9nm,密度6.6×10^<11>cm^<-2>と見積もられたSiC,Geナノドットの形成表面に対するX線光電子分光(XPS)分析から,GeナノドットとSiCナノドットがおよそ1:2の割合で形成されることが示唆された.この高密度ナノドットをSiまたはSiCによりキャッピングした構造に対する低温PL測定を行った結果,1.04eV近傍にGeナノドットに由来すると考えられる発光ピークを確認した.
- 2008-10-23
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
井上 泰宣
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒田 朋義
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
須藤 晴紀
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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