加藤 有行 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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姉崎 豊
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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中澤 日出樹
弘前大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
著作論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 25aYQ-11 TIGaS_2の構造相転移 (1) : 電気的性質
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SnドープGaAs_Sb_xエピタキシャル層の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
- 25aYQ-12 TlGaS_2の構造相転移(2) : 光学的性質
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-8 SiC/Ge・SiCナノドット/Si c(4x4)構造からの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)