加藤 有行 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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姉崎 豊
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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中澤 日出樹
弘前大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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佐藤 魁
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技科大
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成田 克
山形大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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高田 雅介
長岡技科大
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大谷 孝史
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学
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飯田 誠之
長岡技術大
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黒田 朋義
長岡技術科学大学
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加藤 有行
長岡技科大工
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須藤 晴紀
長岡技術科学大学
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飯田 誠之
長岡技術科学大学
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内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
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井上 泰宣
長岡技術科学大学
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打木 久雄
長岡技科大工
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西山 洋
長岡技術科学大学
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飯田 誠之
長岡技科大工
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
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荻原 智明
長岡技術科学大学
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金丸 哲史
長岡技術科学大学
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浅野 翔
長岡技術科学大学
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姉埼 豊
長岡技術科学大学
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
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マメドフ ナジム
アゼルバイジャン科学アカデミー
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山本 信行
大阪府立大学工学部
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山本 信行
大阪府大院工
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末光 眞希
東北大通研
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樫田 昭次
新潟大理
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青木 松本
長岡技術科学大学
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中川 彰人
新潟大理
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マメドフ ナジム
大阪府大工
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山本 信行
大阪府大工
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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西野 文雄
長岡術科学大学工学部
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武井 達也
長岡術科学大学工学部
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加藤 有行
長岡術科学大学工学部
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神保 良夫
長岡術科学大学工学部
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内富 直隆
長岡術科学大学工学部
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中垣 雄一朗
長岡技術科学大学
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熊倉 弘道
長岡技術科学大学
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青木(松本) 珠緒
長岡技術科学大学
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山日 竜二
長岡技科大
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西垣 亨彦
長岡技科大
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神保 良夫
長岡技術科学大学
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神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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大谷 孝
長岡技術科学大学
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加藤 有行
山形大学工学部
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内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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安井 寛治
長岡技術科学大学工学部
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佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
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加藤 有行
長岡技術科学大学工学部電気系
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阿部 泰雅
長岡技術科学大学工学部電気系
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谷口 浩太
長岡技術科学大学工学部電気系
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八木 純平
長岡技術科学大学工学部電気系
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末光 真希
東北大学
著作論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 25aYQ-11 TIGaS_2の構造相転移 (1) : 電気的性質
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SnドープGaAs_Sb_xエピタキシャル層の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
- 25aYQ-12 TlGaS_2の構造相転移(2) : 光学的性質
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-8 SiC/Ge・SiCナノドット/Si c(4x4)構造からの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- YVO_4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性