原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
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概要
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CuCl, diethylegalliumchloride (DEGaCl), H_2Sの各原料を完全分離交互供給する気相成長法で,CuClとZnを,もしくはDEGaClとZnを同時に供給し,Znのサイト選択的添加による伝導性制御を試みた.DEGaClとZnを同時に供給した場合fはn型の伝導性を,CuClとZnを同時に供給した場合にはp型の伝導性を示した.これらの結果は,不純物添加によるCuGaS_2成長層の伝導性制御が可能なことを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
-
飯田 誠之
長岡技術大
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
青木 松本
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技科大工
-
中垣 雄一朗
長岡技術科学大学
-
熊倉 弘道
長岡技術科学大学
-
青木(松本) 珠緒
長岡技術科学大学
-
飯田 誠之
長岡技術科学大学
-
内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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