SnドープGaAs_<1-x>Sb_xエピタキシャル層の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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• 分子線エピタキシー法(MBE法)によってGaAs(001)基板上へ、アンドープGaAs_<1-x>Sb_x、(x < 0.58)とSn.ドープGaAs_<1-x>Sb_x、(x=0.10〜0.14)層を成長しその光学特性を調べた.SnドープGaAsSb層は,Sn Knudsenセル(Kセル)温度をパラメータとして500〜900℃のものを成長し,低温フォトルミネセンス(PL)測定およびホール効果測定を行った.アンドープではp型を示すGaAsSbに対し,670℃のSnKセル温度で成長したSnドープGaAsSb層ではn型となり,最大のPL強度および最大の電子移動度(1900cm^2/Vs)を示した.SnドープGaAsSb層から得られたPL強度は,電子移動度に対しよい相関性を示す事がわかった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-11-05

著者

• 内富 直隆

  長岡技術科学大学電気系

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 西野 文雄

  長岡術科学大学工学部

• 武井 達也

  長岡術科学大学工学部

• 加藤 有行

  長岡術科学大学工学部

• 神保 良夫

  長岡術科学大学工学部

• 内富 直隆

  長岡術科学大学工学部

• 神保 良夫

  長岡技術科学大学

• 神保 良夫

  長岡技術科学大学電気系

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