Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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我々は,Si基板上に多段階成長法によって成長させたGaAsバッファー層の上に(Ga,Mn)Asを成長させた.磁化特性と磁気輸送特性の測定から,作製した膜は,80K以上の強磁性転移温度を示した.また,成長後に低温熱処理を施した試料については,強磁性転移温度が115Kまで上昇することを確認した.Hall効果測定で,低温でHall係数の符号が反転する現象がみられた.これは,通常のn型半導体とp型磁性半導体との競合効果によって説明することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
-
佐藤 慎哉
長岡技術科学大学電気系
-
神保 良夫
長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室
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神保 良夫
長岡技術科学大学
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神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
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内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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