Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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本研究では、分子線エピタキシー法(MBE)によるSi基板上へのGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造(MQW)の作製とその評価を行なった。AlSb緩衝層、GaSb/AlGaSb多重バッファー層の導入によりエピタキシャル層内の転位を抑制し、高品質なエピタキシャル膜を得ることができた。断面TEM観察、HRXRD測定により、MQW構造の形成を確認した。また光情報通信で必要とされる1.30〜1.55μmのフォトルミネッセンスが室温で観測され、その発光波長は有限井戸型ポテンシャルモデルによる計算結果と良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
-
中村 新一
青山学院大学
-
神保 良夫
長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室
-
中村 新一
青山学院大学 理工学部附置機器分析センター
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
-
安田 武史
長岡技術科学大学工学部電気系
-
藤江 周作
長岡技術科学大学工学部電気系
-
神保 良夫
長岡技術科学大学
-
神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
-
内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
-
豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
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