内富 直隆 | 長岡技術科学大学電気系
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概要
関連著者
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内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
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内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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神保 良夫
長岡技術科学大学
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神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
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神保 良夫
長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室
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佐藤 慎哉
長岡技術科学大学電気系
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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アスバル ジョエル
長岡技術科学大学電気系
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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江 偉華
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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末松 久幸
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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飯田 誠之
長岡技術大
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中村 新一
青山学院大学
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江 偉華
長岡技術科学大学
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偉華 江
長岡技術科学大学電気系 同粒子ビーム工学センター
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青木 松本
長岡技術科学大学
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末松 久幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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中村 新一
青山学院大学 理工学部附置機器分析センター
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
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加藤 有行
長岡技科大工
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中川 久幸
長岡技術科学大学電気系
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横山 忠輔
長岡技術科学大学電気系
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安田 武史
長岡技術科学大学工学部電気系
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藤江 周作
長岡技術科学大学工学部電気系
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西野 文雄
長岡術科学大学工学部
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武井 達也
長岡術科学大学工学部
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加藤 有行
長岡術科学大学工学部
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神保 良夫
長岡術科学大学工学部
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内富 直隆
長岡術科学大学工学部
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岩下 竜馬
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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楊 城彩
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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中垣 雄一朗
長岡技術科学大学
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熊倉 弘道
長岡技術科学大学
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青木(松本) 珠緒
長岡技術科学大学
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飯田 誠之
長岡技術科学大学
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末松 久幸
長岡技術科学大学
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大前 洗斗
長岡技術科学大学
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岡部 晃也
長岡技術科学大学工学部電気系
著作論文
- 強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- MBE法によって成長したZnSnAs_2薄膜の電気的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si基板上に成長した(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- SnドープGaAs_Sb_xエピタキシャル層の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パルスイオンビーム蒸着法によるSi_Ge_x固溶体薄膜の作製
- 原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
- InP基板上に成長したZnSnAs2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果 (電子デバイス)
- Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- InP基板上に成長したZnSnAs_2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)