強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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• 分子線エピタキシー(MBE)法を用いて強磁性半導体(Ga,Mn)As層とp型GaAsスペーサ層による超格子構造を作製し,その構造的・電気的・磁気的特性について調べた.さらに,格子欠陥の減少を目的として低温熱処理を行い,構造の物性に及ぼす効果について調べた.RHEEDとHRXRDの結果から,超格子構造が結晶性良く成長されたことが確認できた.SQUID磁化測定からas-grown試料の強磁性転移温度T_Cは約50Kと見積もられ,M-T曲線からはこの超格子構造の中に二つの強磁性相が存在することが示唆される.磁気輸送測定からは一方の強磁性相のT_Cに近い約35Kに転移点が見られた.熱処理をT_a=175〜300℃の温度で行った結果,HRXRDによる超格子の(004)回折ピークは高角側にシフトし,これは格子欠陥である格子間Mn_Iの減少に起因して格子定数が小さくなったと考えられる.高い熱処理温度T_aであるほど正孔濃度pの増加と抵抗率ρの低下,T_Cの増大が見られた.

• 2007-11-09

著者

• 内富 直隆

  長岡技術科学大学電気系

• 神保 良夫

  長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室

• アスバル ジョエル

  長岡技術科学大学電気系

• 中川 久幸

  長岡技術科学大学電気系

• 神保 良夫

  長岡技術科学大学

• 神保 良夫

  長岡技術科学大学電気系

• 内富 直隆

  長岡技術科学大学工学部電気系

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