MBE法によって成長したZnSnAs_2薄膜の電気的特性(薄膜プロセス・材料,一般)

概要

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ZnSnAs_2薄膜をn形(001)InP基板および半絶縁性(001)基板上に分子線エピタキシー法を用いて以前の報告と同じ成長条件で成長させた.その場観測RHEEDにおけるストリークパターンから,全ての試料が2次元成長した事を確認した.高分解能XRDおよびラマン分光法の結果は,カルコパイライト相およびスファレライト相の両方が存在している事を示唆する.半絶縁性基板を用いた試料において,van der Pauw法によるホール効果測定を5Kから室温までの温度範囲で行った.室温において,正孔濃度p=5.98×10^<18>cm^<-3>,正孔移動度μ=23.61cm^2/Vs,抵抗率ρ=4.43×10^<-2>Ω-cmである事が分かった.ホール係数の温度依存性から,バルクのカルコパイライトZnSnAs_2における報告と類似した130K付近での極大を観測した.これは価電子帯とアクセプターバンドの2バンドモデルによって説明される.価電子帯の正孔濃度の温度依存性から,アクセプターバンドは価電子帯端から〜0.034eVに位置していると計算された.p-ZnSnAs_2/n-InPヘテロ接合におけるI-V測定は,典型的なpn接合でのI-V特性を示した.
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-11-09