Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は,Si基板上に多段階成長法によって成長させたGaAsバッファー層の上に(Ga,Mn)Asを成長させた.磁化特性と磁気輸送特性の測定から,作製した膜は,80K以上の強磁性転移温度を示した.また,成長後に低温熱処理を施した試料については,強磁性転移温度が115Kまで上昇することを確認した.Hall効果測宝で,低温でHall係数の符号が反転する現象がみられた.これは,通常のn型半導体とp型磁性半導体との競合効果によって説明することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
-
佐藤 慎哉
長岡技術科学大学電気系
-
神保 良夫
長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室
-
神保 良夫
長岡技術科学大学
-
神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
-
内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
関連論文
- 5)広帯域円板ポールアンテナについて(無線・光伝送研究会)
- 広帯域円板モノポールアンテナについて
- 強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- MBE法によって成長したZnSnAs_2薄膜の電気的特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 遺跡探査地中レーダ専用アンテナの特性改善
- 大地に近接したアンテナに関する実験
- Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si基板上に成長した(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- SnドープGaAs_Sb_xエピタキシャル層の光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パルスイオンビーム蒸着法によるSi_Ge_x固溶体薄膜の作製
- 原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
- 円板Radial Finアンテナ : 超広帶域・全方向性アンテナ
- Top Loading半円板モノポールアンテナ
- 地表に接したアンテナの特性と大地の含水率との関係について
- 地中レーダ用アンテナの送受信間配置
- 地表に接したアンテナの特性と大地の電気定数との関係について
- 無給電素子の装荷による4線状ヘリカルアンテナの特性改善
- InP基板上に成長したZnSnAs2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果 (電子デバイス)
- Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- InP基板上に成長したZnSnAs_2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)