InP基板上に成長したZnSnAs_2:Mn磁性薄膜の異常ホール効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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分子線エピタキシー法によりInP(001)基板上に成長させた6.5%MnドープZnSnAs_2薄膜の磁気特性、抵抗の温度依存性、ホール効果測定の結果について報告する。MnドープZnSnAs_2薄膜は、300Kでも明瞭な磁化ヒステリシス曲線を示し、室温強磁性であることを示した。この試料のホール効果測定の結果は、異常ホール効果を示した。この特性は、ZnSnAs_2の半導体的電気伝導とMnスピンの相互作用を示唆するものである。
- 2011-07-22
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