Si基板上に成長した(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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我々は,Si基板上に成長させた希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁気輸送特性を調べた。作製した膜は,80K以上の強磁性転移温度を示し、低温熱処理後、それは115Kまで上昇した。この強磁性転移温度は、Si基板をエッチング除去後に低温熱処理することにより、さらに152Kまで上昇した。これは,Si基板除去により、Si基板による圧縮応力が解け、格子間Mnの拡散が促進されたためと考えられる.Raman散乱測定、および磁気抵抗効果測定は、GaMnAs層における応力の存在、および磁気異方性の変化を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
内富 直隆
長岡技術科学大学電気系
-
佐藤 慎哉
長岡技術科学大学電気系
-
神保 良夫
長岡技術科学大学工学部電気系伊藤・関研究室
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神保 良夫
長岡技術科学大学
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神保 良夫
長岡技術科学大学電気系
-
内富 直隆
長岡技術科学大学工学部電気系
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