ナノドットFe中間層を有するエピタキシャル強磁性2重トンネル接合におけるコンダクタンスの振動現象(薄膜)
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概要
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Double-barrier magnetic tunnel junctions (DMTJs) with an Fe(001) / MgO(001) / Fe(001) / MgO(001) / Fe(001) structure were deposited upon MgO(001) substrates by using molecular beam epitaxy. The DMTJs were found to show the TMR ratio of up to 110% and an extremely small bias voltage dependence (V_<1/2=1.4V under a positive bias application) at room temperature. We also investigated the middle-layer thickness dependence of the conductance curve in the DMTJs. Clear oscillations of the conductance were observed in a parallel magnetization configuration. This oscillation is thought to originate in the modulation of the tunneling conductance by the spin-polarized quantum well states created in the middle Fe layer.
- 2006-03-01
著者
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
猪俣 浩一郎
都立大理学部
-
野崎 隆行
東北大学大学院工学研究科
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
中村 新一
青山学院大学
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 論
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大
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