MRAMデバイス技術の展望 (小特集:新RAMデバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 新機能素子研究開発協会の論文

著者

• 猪俣 浩一郎

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

関連論文

• CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
• 自己差動メモリ素子の作製とその検出
• 反平行結合フリー層の熱擾乱耐性
• ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
• ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果
• Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
• Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の磁気特性と組織
• 反平行結合フリー層を用いたCPP-GMRにおけるスピン注入磁化反転挙動
• ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の熱処理特性
• Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
• フルホイスラーCo_2FeAl_Si_合金を有する強磁性トンネル接合の素子構造とトンネル磁気抵抗効果
• MRAM開発の最新動向 (特集 機能性セラミックス関連材料の現在と今後)
• プラズマ酸化法により作製したCoフェライト薄膜の構造と磁気特性
• Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
• プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
• MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
• エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
• L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
• MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
• 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
• 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
• Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
• ナノドットFe中間層を有するエピタキシャル強磁性2重トンネル接合におけるコンダクタンスの振動現象(薄膜)
• Y_2Fe_B/Fe_3B系急冷薄帯におけるナノコンポジット組織と自然共鳴
• 永久磁石材料を用いた電磁波吸収体
• B-4-18 希土類-鉄-ボロン化合物の GHz 帯電磁波吸収特性
• (Y_Sm_x) _2Fe_B化合物の自然共鳴と電磁波吸収
• 永久磁石材料のGHz帯電磁波吸収体への応用
• B-4-57 不均化反応生成サブマイクロ鉄粒子のGHz帯電磁波吸収
• Co_2MnGeホイスラー合金薄膜の構造と磁気特性 : 合金薄膜
• Co_2MnGeホイスラー合金薄膜の構造と磁気特性
• ホイスラー合金Co_2V_Fe_xAl薄膜の構造、磁気、電気伝導特性
• 微細加工法により作製したCo_2(Cr_Fe_x)Al/Al-O/Co_Fe_接合のTMR特性
• ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
• 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
• GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
• スピントロニクスの現状と展望 (新春特集 ナノテクノロジー)
• 8p-L-10 FeCl_2H_2Oの磁性 II
• 12p-F-7 種々の交換相互作用がある場合の磁性体の磁化過程
• 3p-B-9 FeCl_2H_2Oの磁性理論
• ナノで実現する新しいデバイス原理への挑戦 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
• 薄膜機能材料開発の技術動向 (薄膜機能材料)
• ガリウム添加ネオジウム-鉄-ボロン磁石
• アモルファス磁性部品のスイッチング電源への新しい応用
• スイッチング電源用非晶質合金 (材料)
• Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁気・電気伝導特性(薄膜)
• Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁気・電気伝導特性
• 24aXN-8 エピタキシャルCo_2Cr_Fe_xAlホイスラー合金薄膜の磁気特性(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 強磁性ナノドット層を有する二重トンネル接合におけるTMRの増大(薄膜)
• L2_1構造を有するCo_2Cr_Fe_xAl薄膜の結晶構造と磁気特性(薄膜)
• ホイスラー系ハーフメタル薄膜とそのTMR特性 (小特集 ホイスラー化合物の機能材料としての新展開)
• スピントロニクス研究の現状
• Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜を用いたMTJの磁気抵抗効果
• 26a-YJ-3 円偏光励起GaAs探針による強磁性体表面のSTM観察
• 1p-W-3 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察III
• 7a-YG-9 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察II
• 29a-WB-2 円偏光励起によるスピン偏極トンネリングの観察
• 2つの非磁性金属層を介した層間結合
• Fe/AuおよびFe/Cr人工格子膜における層間結合のFe厚依存性
• 29a-PS-21 Fe/Au系膜の層間交換相互作用に見られる量子干渉効果
• 2a-H-2 アモルファス化されたスピネルフェライトのスピングラス特性
• MRAM開発の現状と将来展望 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
• 強磁性スピントンネル接合
• スピンエレクトロニクスの展開
• ハイブリッド型トンネル接合
• 金属人工格子/磁性薄膜のフロンテイア
• 巨大磁気抵抗効果材料の開発動向とセンサ応用
• 金属磁性人工格子の巨大磁気抵抗効果のメカニズム
• 28a-PS-45 補助磁性層による磁性人工格子膜の飽和磁界低減に関する理論的研究
• エアロゾル・デポジション法により作製したNi-Zn-Cuフェライト厚膜の高周波特性
• エアロゾルデポジション法によるナノ結晶ファライト厚膜の形成
• Co_2CrGaホイスラー合金の結晶構造と磁気・電気伝導特性
• 衝撃成形法による希土類 : アルミニウム系混合磁性多結晶体の作成と熱的・磁気的性質(衝撃小特集)
• 1a-B-6 RNi_2(R=Dy,Ho,Er)の比熱とエントロピー
• Zn_Fe_O_4薄膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
• Zn_Fe_O_4薄膜を用いたトンネル接合の磁気抵抗効果
• Zn_xFe_O_4薄膜の構造および磁気・電気特性(薄膜)
• Zn_xFe_O_4薄膜の構造および磁気・電気特性
• 非晶質複合合金
• 高透磁率非晶質合金 (金属・セラミックス)
• 2p-T-17 R-Co系のNMRII
• 3p-KK-10 R-Co 系の NMR
• サブミクロン反平行結合膜のスピン反転挙動 : 磁気抵抗効果・交換結合
• サブミクロン反平行結合膜のスピン反転挙動
• L2_1構造を有するCo_2(Cr, Fe)Al薄膜の結晶構造と磁気特性
• 13aWB-4 GaAs(001) 基板上に成長した Co_2Cr_Fe_xAl ホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁性(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
• 28aXR-6 GaAs(100)基板上に成長させたCo_2(Cr,Fe)Alホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁性(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
• Co_2Cr_Fe_xAlフルホイスラー合金の構造と磁気・伝導特性
• Co_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いたMTJの磁気抵抗効果
• フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合のTMR
• Co_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いたMTJの磁気抵抗効果
• GaAs(100)基板上のFe/MgOの結晶成長と磁気・電気伝導特性
• 極薄Ruキャップ層を用いたスピンバルブ素子のCPP-GMR特性
• TMRのMRAM応用研究の現状と課題
• スピン量子ドットメモリ創製に向けて--ナノテクノロジーのパラダイム (特集 戦略的開発研究と実用化)
• MRAMデバイス技術の展望 (小特集:新RAMデバイス)
• 磁石材料 (物性研究とセラミックス)
• 膜面内に1軸磁気異方性をもつCo-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果 (金属人工格子の構造,物性とその応用)
• Y2(Co1-xMx)17(M=Cu,Al)のNMRによる研究
• 低電流スピン注入磁化反転

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク