永久磁石材料のGHz帯電磁波吸収体への応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-11-29
著者
-
前田 徹
住友電気工業(株)アドバンストマテリアル研究所ナノマテリアル研究部
-
手束 展規
東北大工
-
杉本 諭
東北大工
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
籠谷 登志夫
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
-
猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
-
前田 徹
東北大
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
杉本 論
東北大学大学院工学研究科
-
手束 展規
東北大・工
-
杉本 諭
東北大
-
籠谷 登志夫
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
-
Kagotani T.
Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
猪俣 浩一郎
東北大 大学院
関連論文
- 超高密度磁気メモリ (特集2 ユビキタス社会を拓く次世代電子デバイス)
- Co/Pt多層膜単一ナノドットの磁化過程
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- 自己差動メモリ素子の作製とその検出
- 反平行結合フリー層の熱擾乱耐性
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
- ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の磁気特性と組織
- 共沈法により作成したSrO-Fe_2O_3系フェライト化合物SrO・nFe_2O_3(0.8
- 反平行結合フリー層を用いたCPP-GMRにおけるスピン注入磁化反転挙動
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の熱処理特性
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- フルホイスラーCo_2FeAl_Si_合金を有する強磁性トンネル接合の素子構造とトンネル磁気抵抗効果
- MRAM開発の最新動向 (特集 機能性セラミックス関連材料の現在と今後)
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト薄膜の構造と磁気特性
- Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
- MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
- L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
- MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
- ナノドットFe中間層を有するエピタキシャル強磁性2重トンネル接合におけるコンダクタンスの振動現象(薄膜)
- 永久磁石材料の電磁波吸収体への応用
- Y_2Fe_B/Fe_3B系急冷薄帯におけるナノコンポジット組織と自然共鳴
- 永久磁石材料を用いた電磁波吸収体
- B-4-18 希土類-鉄-ボロン化合物の GHz 帯電磁波吸収特性
- (Y_Sm_x) _2Fe_B化合物の自然共鳴と電磁波吸収
- 永久磁石材料のGHz帯電磁波吸収体への応用
- B-4-57 不均化反応生成サブマイクロ鉄粒子のGHz帯電磁波吸収
- B-4-9 22-26GHz帯に対応したM型フェライト電波吸収体
- M型六方晶フェライト複合体シートの複素透磁率と電波吸収特性
- Co_2MnGeホイスラー合金薄膜の構造と磁気特性 : 合金薄膜
- Co_2MnGeホイスラー合金薄膜の構造と磁気特性
- ホイスラー合金Co_2V_Fe_xAl薄膜の構造、磁気、電気伝導特性
- 微細加工法により作製したCo_2(Cr_Fe_x)Al/Al-O/Co_Fe_接合のTMR特性
- ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
- スピントロニクスの現状と展望 (新春特集 ナノテクノロジー)
- 8p-L-10 FeCl_2H_2Oの磁性 II
- 12p-F-7 種々の交換相互作用がある場合の磁性体の磁化過程
- 3p-B-9 FeCl_2H_2Oの磁性理論
- ナノで実現する新しいデバイス原理への挑戦 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- 薄膜機能材料開発の技術動向 (薄膜機能材料)
- ガリウム添加ネオジウム-鉄-ボロン磁石
- アモルファス磁性部品のスイッチング電源への新しい応用
- スイッチング電源用非晶質合金 (材料)
- Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁気・電気伝導特性(薄膜)
- Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁気・電気伝導特性
- 24aXN-8 エピタキシャルCo_2Cr_Fe_xAlホイスラー合金薄膜の磁気特性(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 強磁性ナノドット層を有する二重トンネル接合におけるTMRの増大(薄膜)
- L2_1構造を有するCo_2Cr_Fe_xAl薄膜の結晶構造と磁気特性(薄膜)
- ホイスラー系ハーフメタル薄膜とそのTMR特性 (小特集 ホイスラー化合物の機能材料としての新展開)
- スピントロニクス研究の現状
- Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜を用いたMTJの磁気抵抗効果
- 26a-YJ-3 円偏光励起GaAs探針による強磁性体表面のSTM観察
- Ni_Fe_/Co/N(N=Ta, Cu, Al)/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果
- 24pPSB-30 トンネル分光法によるFe,Co,Niのスピン分極率測定
- Ni_Fe_Co/N(N=Ta, Al)/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果
- Ni-Fe/Co/Al-O/Co接合におけるTMRのプラズマ酸化時間及びAl膜厚依存性
- 26pPSA-46 Ni_Fe_/Co/N/N-oxide/Co(N=Ta, Al)接合における磁気抵抗効果
- 26pPSA-45 トンネル分光法によるスピン分極率測定
- Ni_Fe_/Al-Oxide/Co接合における磁気抵抗効果のAl-Oxide厚依存性
- Arイオンミリングによる強磁性トンネル接合の微細加工
- 強磁性体/Al-Oxide/Co接合のトンネル磁気抵抗効果の印加電圧及び温度依存性
- 28p-J-12 Co/Al-oxide/Co接合におけるTMR比の印加電圧・温度依存性
- 28p-J-11 80NiFe/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果の絶縁障壁幅依存性
- 80NiFe/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果のAl-oxide厚依存性
- 80NiFe/Al-oxide/Co接合におけるトンネル磁気抵抗比の80NiFe膜厚依存性
- 強磁性トンネル接合の微細加工
- 強磁性体/Al-oxide/Co接合のトンネル磁気抵抗効果の印加電圧及び温度依存性
- 非弾性電子トンネル分光法(IETS)を用いた強磁性体/絶縁体界面の解析
- ウェッジ状のAl-O絶縁層を有する強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- 1p-W-7 トンネル磁気抵抗効果の印加電圧および温度依存性
- 非弾性電子トンネル分光法(IETS)を用いた強磁性体/絶縁体界面の解析
- Wedge状の絶縁層を有する強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Zn_xFe_O_4薄膜の構造および磁気・電気特性
- サブミクロン反平行結合膜のスピン反転挙動
- 13aWB-4 GaAs(001) 基板上に成長した Co_2Cr_Fe_xAl ホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁性(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 28aXR-6 GaAs(100)基板上に成長させたCo_2(Cr,Fe)Alホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁性(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 高性能圧粉磁心の開発
- NiFe/Co/Al_2O_3/Co/NiFe/FeMn接合の強磁性トンネリング効果
- 7a-YG-7 強磁性トンネリング接合素子の磁気抵抗効果
- 29P-WB-1 強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Ruスペーサー層を有する強磁性トンネル接合の量子振動効果
- 反平行結合フリー層を有するトンネル接合素子のスピン反転挙動
- 31p-PSA-33 82Ni-Fe/Al-Al_2O_3/Co強磁性トンネル接合における磁気抵抗効果 : 磁気抵抗の温度および印加電圧依存性
- 3p-YA-7 強磁性/Al-Al_2O_3/強磁性接合の磁気トンネリング効果
- ナノスケール磁性体の構造・組織制御と機能・応用調査専門委員会
- 強磁性トンネル接合における絶縁障壁と磁気抵抗 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 強磁性トンネル接合における絶縁障壁と磁気抵抗効果
- Tb-FeおよびTb-Fe-Siアモルファス合金の磁気光学効果と基板との関係
- 7a-YG-6 強磁性トンネル接合におけるTMRの印加電圧および温度依存性
- 29a-WB-8 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の温度および印加電圧依存性
- 28p-YF-6 強磁性/絶縁体/強磁性接合の磁気抵抗効果
- 6pWA-6 微小反平行結合素子の磁化状態(微小領域磁性・磁化過程,領域3)