ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
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概要
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The annealing temperature dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions with CoFeO_x inserted in the pinned layer was investigated. A junction with a CoFe/CoFeO_x/CoFe as the pinned layer exhibited TMR ratios of 47 % and 43 % after annealing at 350 ℃, and at 375 ℃, respectively. The reason for the improvement of the thermal stability is related to oxygen diffusion from CoFeO_x layer, and there is a possibility that CoFeO_x plays a role of Mn (in MnIr exchange layer) diffusion barrier.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
-
落合 隆夫
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 論
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大
-
斉藤 好昭
東芝 研開セ
-
斉藤 好昭
(株)東芝研究開発センター
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