斉藤 好昭 | 東芝 研開セ
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概要
関連著者
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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斉藤 好昭
東芝
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
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斉藤 好昭
(株)東芝研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝・基礎研
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中島 健太郎
(株)東芝研究開発センター
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中島 健太郎
東芝
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
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天野 実
東芝
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猪俣 浩一郎
東芝・基礎研
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高橋 茂樹
東芝
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杉山 英行
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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井口 智明
(株)東芝 研究開発センター
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天野 実
東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
東芝研究開発センター
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中島 健太郎
東芝研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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後藤 敦
東大物性研
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後藤 敦
東大・物性研
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安岡 弘志
東大・物性研
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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高橋 茂樹
(株)東芝研究開発センター
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砂井 正之
(株)東芝・研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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與田 博明
(株)東芝
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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中村 新一
青山学院大学
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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高橋 茂樹
(株)東芝 研究開発センター
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Yasuoka Hiroshi
Department Of Mathematics And Physics The National Defense Academy
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與田 博明
東芝 研開セ
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宇治 進也
金材研
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杉山 英行
東芝
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岸 達也
東芝研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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柚須 圭一郎
東芝材料デバイス研
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猪俣 浩一郎
東芝総研
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中村 新一
(株)東芝
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丸亀 孝生
(株)東芝研究開発センター
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石川 瑞恵
(株)東芝研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝総研
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大 大学院
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清水 禎
金材研
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宇治 進也
物材機構
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新庄 輝也
京大化研
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縄手 雅彦
広大・工
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本多 茂男
広大・工
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寺島 太一
金材研
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青木 晴義
金材研
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斉藤 好昭
東芝・総研
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猪俣 浩一郎
東芝・総研
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西村 克彦
富山大工
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石綿 延行
Necデバプラ研
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縄手 雅彦
広島大学工学部
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田原 修一
NEC基礎研究所
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本多 茂男
広島大学工学部
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寺島 太一
物材機構
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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上田 知正
株式会社東芝研究開発センター
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菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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落合 隆夫
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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土田 賢二
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 新規メモリ設計技術開発部
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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砂井 正之
東芝
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中島 健太郎
東芝・基礎研
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猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
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青木 晴善
金材研
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斉藤 好昭
東芝・RDC
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猪俣 浩一郎
東芝・RDC
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝, 研究開発センター
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荻原 英夫
(株)東芝 光・磁気ストレージ開発センター
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岸 達也
東芝基礎研
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荻原 英夫
材料デバイス研究所
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柚須 圭一郎
材料デバイス研究所
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市原 勝太郎
材料デバイス研究所
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猪俣 浩一郎
東芝基礎研
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柚須 圭一郎
(株)東芝デジタルメディアネットワーク社コアテクノロジーセンター
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猪俣 浩一郎
株式会社東芝研究開発センター
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奥野 志保
株式会社東芝研究開発センター基礎研究所
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猪俣 浩一郎
株式会社 東芝
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斉藤 好昭
株式会社 東芝
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奥野 志保
東芝総研
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科
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杉本 論
東北大学大学院工学研究科
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猪俣 浩一郎
東芝 基礎研
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柚須 圭一郎
東芝 基礎研
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斉藤 好昭
東芝 基礎研
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市原 勝太郎
(株)東芝研究開発センター記憶材料デバイスラボラトリー
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猪俣 浩一郎
東芝 総研
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高橋 義則
東芝総研
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市原 勝太郎
東芝研究開発センター 材料デバイス研究所
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杉本 諭
東北大
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
-
高橋 義則
(株)東芝 基礎研究所
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斉藤 好昭
東芝基礎研
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長谷川 勝啓
富山大理
-
桜井 酵児
富山大理
-
菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
-
上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
-
YASUOKA Hiroshi
ISSP of the University of Tokyo
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石綿 延行
日本電気株式会社
-
池川 純夫
東芝研究開発セ
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與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
著作論文
- 29a-PS-30 Co/Cu人工格子膜の界面構造とGMRのアニール温度依存性
- 4a-YA-7 Co/Cu, NiFe/Cu/Co/Cu人工格子膜の界面構造とMR変化率
- 29a-YQ-3 Co/Cu, Fe/Cr人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
- 25p-N-12 ^Co核NMRから見た界面とMR変化率の相関
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響
- 自己差動メモリ素子の作製とその検出
- 反平行結合フリー層の熱擾乱耐性
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
- 大容量MRAMの展望
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合のTMR
- 強磁性一重および二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を用いた二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 28p-J-14 強磁性2重トンネル接合の磁気抵抗
- 1a-S-8 Co/Cu,Co-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
- MRAM : 開発の最前線
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合の磁気抵抗 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- 強磁性ナノ粒子と強磁性電極間のスピン依存トンネル
- 7a-YG-17 半導体εFeSi中間層を持つFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の輸送特性
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 29a-WB-3 B20構造およびbcc構造FeSi中間非磁性層をもつFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の磁気的電気的特性
- 人工格子の層間交換結合と量子サイズ効果
- 磁性体/半導体人工格子の交換結合
- 金属人工格子のGMRと界面構造
- Fe/FeSi人工格子膜の磁気及び輸送特性
- 3p-YA-18 Fe/Si多層膜の温度に依存した交換結合
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- 25p-N-9 Co/CuNi人工格子の層間相互作用の振動周期
- Fe-Si多層膜の交換結合および電気抵抗の温度変化
- MgO(110)基板上Co9Fe/Cu/Co9Feサンドイッチ膜の巨大磁気抵抗効果と磁気異方性 (磁性薄膜の軟磁性・新機能)
- 13a-R-5 磁性多層膜Au/Co/Au/MiFe及びCo/Cuおける電気抵抗率の温度変化
- Spin-based MOSFET の現状と展望
- 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術