猪俣 浩一郎 | 東芝総研
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概要
関連著者
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猪俣 浩一郎
東芝総研
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東芝 総研
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猪俣 浩一郎
東北大工
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
都立大理学部
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猪俣 浩一郎
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科
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杉本 論
東北大学大学院工学研究科
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杉本 諭
東北大
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
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Sugimoto Satoshi
Department Of Materials Science Graduate School Of Engineering Tohoku University
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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岡村 進
東北大学大学院工学研究科
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宮崎 彩
東北大学大学院工学研究科
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手束 展規
東北大・工
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宝野 和博
物質・材料研究機構
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高橋 有紀子
物質・材料研究機構
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宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
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宝野 和博
物材機構
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宝野 和博
物質・材料研究機構磁性材料センター
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佐橋 政司
東芝総研
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高橋 有紀子
(独)物質・材料研究機構 磁性材料センターさきがけ-jst
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介川 裕章
物質・材料研究機構
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橋本 進
東芝総研
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
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宝野 和博
物質・材料研究機構材料研究所ナノ組織解析グループ
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宝野 和博
金材技研
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佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
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伊藤 厚子
お茶大理
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斉藤 好昭
東芝
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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後藤 龍太
東北大学
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後藤 龍太
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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菊地 麻樹
東北大学大学院工学研究科
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奥野 志保
東芝総研
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森本 せつ
お茶大理
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葛原 徹
東京工業大学理学部
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宝野 和博
物質・材料研究機構(筑波大学)
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斉藤 好昭
東芝総研
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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介川 裕章
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
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中村 志保
東芝総研
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新庄 輝也
京大化研
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宝野 和博
独立行政法人物質・材料研究機構磁性材料センター
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西村 克彦
富山大工
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石田 清仁
東北大学大学院工学研究科
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石田 清仁
東北大院工
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宝野 和博
独立行政法人物質・材料研究機構
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石田 清仁
東北大学未来科学技術共同研究センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝基礎研究所
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
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明渡 純
産業技術総合研究所
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杉本 諭
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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平山 亨
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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槙 智仁
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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籠谷 登志夫
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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槙 智仁
東北大学大学院工学研究科
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菊池 麻樹
東北大学大学院工学研究科
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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伊妻 猛志
旭化成工業(株)あいばの工場
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橋本 巍洲
東工大理
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University
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友清 彬昶
九大理
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中村 新一
青山学院大学
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池田 直路
東北大学大学院工学研究科
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猪俣 浩一郎
(独)物質・材料研究機構
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高橋 由紀子
独立行政法人物質・材料研究機構
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チャン ビサル
東北大学工学研究科
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杉本 諭
東北大学工学研究科
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猪俣 浩一郎
東北大学工学研究科
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手束 展規
東北大学工学研究科
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明度 純
産業技術総合研究所
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正木 達章
東北大学大学院,工学研究科,知能デバイス材料学専攻
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菊地 麻樹
(株)高純度化学研究所
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WANG Wenhong
物質・材料研究機構
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SHAN Rong
物質・材料研究機構
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WOJCIK Marec
ポーランド科学アカデミー
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介川 裕章
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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WANG W.
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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SHAN R.
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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佐橋 政司
(株)東芝研究開発センター
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佐橋 政司
東芝・総研
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東海 陽一
(株)東芝材料部品開発・試作センター
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橋本 巍洲
東京工業大学理学部応用物理学科
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小島 克己
旭化成工業(株)
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石田 清仁
東北大学大学院
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酒井 勲
(株)東芝研究開発センター
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佐橋 政司
東芝 研開セ
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丹生 ひろみ
(株)東芝総合研究所
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亀山 龍一郎
旭化成工業(株)
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橋本 魏洲
東京工業大学理学部
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友清 彬昶
九大教養
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矢山 英樹
九大教養
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葛原 徹
東工大理
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酒井 勲
(株)東芝
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佐橋 政司
(株)東芝
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科
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高橋 義則
東芝総研
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山田 昌和
東芝総研
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明渡 純
産業技術総合研
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矢山 英樹
九大理
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University:crest Japan Science And Technology Corporation
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻
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溝口 徹彦
東芝総研
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籠谷 登志夫
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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橋本 巍洲
東工大
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高橋 義則
(株)東芝 基礎研究所
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溝口 徹彦
(株)東芝 Lsi第一事業部
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猪俣 浩一郎
(株)東芝総合研究所
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伊妻 猛志
旭化成工業(株)
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Kagotani T.
Graduate School Of Engineering Tohoku University
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長谷川 勝啓
富山大理
-
桜井 酵児
富山大理
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Wang W.
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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津田井 昭彦
(株)東芝総合研究所
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溝口 徹彦
(株)東芝
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正木 達章
東北大学大学院 工学研究科 知能デバイス材料学専攻
-
津田井 昭彦
(株)東芝研究開発センター
-
WEN Zhenchao
物質・材料研究機構
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Shan R.
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science (nims)
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溝口 徹彦
(株)東芝総合研究所
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Wenhong Wang
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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Rong Shan
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
-
酒井 勲
(株)東芝総合研究所
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伊妻 猛志
旭化成工業 (株) あいばの工場
-
東海 陽一
(株)東芝 総研
著作論文
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- フルホイスラーCo_2FeAl_Si_合金を有する強磁性トンネル接合の素子構造とトンネル磁気抵抗効果
- MRAM開発の最新動向 (特集 機能性セラミックス関連材料の現在と今後)
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト薄膜の構造と磁気特性
- Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
- MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
- L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
- MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
- ガリウム添加ネオジウム-鉄-ボロン磁石
- 2a-H-2 アモルファス化されたスピネルフェライトのスピングラス特性
- 衝撃成形法による希土類 : アルミニウム系混合磁性多結晶体の作成と熱的・磁気的性質(衝撃小特集)
- 1a-B-6 RNi_2(R=Dy,Ho,Er)の比熱とエントロピー
- 25p-N-9 Co/CuNi人工格子の層間相互作用の振動周期
- 2p-T-17 R-Co系のNMRII
- 3p-KK-10 R-Co 系の NMR
- 磁石材料 (物性研究とセラミックス)
- 膜面内に1軸磁気異方性をもつCo-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果 (金属人工格子の構造,物性とその応用)
- 先進磁性材料の基礎および応用研究
- 13a-R-5 磁性多層膜Au/Co/Au/MiFe及びCo/Cuおける電気抵抗率の温度変化
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用II : 2. トンネル磁気抵抗効果
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用I : 1. 巨大磁気抵抗材料・デバイス
- 高キュリー点型Nd-Fe-B系磁石
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用III : 3. スピントランスファトルクとその応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用IV : 4. ハーフメタルとその強磁性トンネル接合への応用
- MgO界面によるCo_2FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化
- 31p-PS-66 新しいアモルファス酸化物磁性体(磁性(永久磁石・インバー・アモルファス・測定技術))
- 3a-E1-4 Y_2(Fe, M)_Bの磁歪(3a E1 磁性(ホウ化物・永久磁石))
- 31p-F-5 アモルファスCoフェライト膜の磁性(31p F 磁性(アモルファス,準結晶,ランダム))