浅尾 吉昭 | (株)東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝半導体研究開発センター
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波田 博光
日本電気(株)
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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(株)東芝ULSI研究所
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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岸 達也
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斉藤 好昭
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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清水 孝文
(株)東芝半導体研究開発センター
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岩山 昌由
(株)東芝研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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天野 実
東芝
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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岩田 佳久
東芝 研開セ
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石綿 延行
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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東芝研究開発センター
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杉林 直彦
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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志村 健一
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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NEC
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NEC
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東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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本田 雄士
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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浅尾 吉昭
株式会社 東芝、研究開発センター
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與田 博明
株式会社 東芝、研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝, 研究開発センター
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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日本電気(株)
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
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清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
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與田 博明
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Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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永原 聖万
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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笠井 直記
東北大学
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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池川 純夫
東芝研究開発セ
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- MRAM : 開発の最前線
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案