岩田 佳久 | 株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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岩田 佳久
東芝 研開セ
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岩田 佳久
(株)東芝 研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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清水 有威
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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板垣 清太郎
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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勝又 竜太
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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鬼頭 傑
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福住 嘉晃
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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木藤 大
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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田中 啓安
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青地 英明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝研究開発センター
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清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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田中 啓安
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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仁田山 晃寛
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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滝沢 亮介
(株)東芝 Soc 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
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細谷 啓司
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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宮本 順一
(株)東芝デバイス技術研究所
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今宮 賢一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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杉浦 義久
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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杉浦 義久
東芝半導体技術研究所
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岩田 佳久
東芝半導体技術研究所
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今宮 賢一
東芝半導体技術研究所
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中村 寛
東芝半導体技術研究所
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大平 秀子
東芝半導体技術研究所
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宮本 順一
東芝半導体技術研究所
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池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
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前田 高志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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菱田 智雄
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小森 陽介
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石月 恵
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松並 絢也
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤原 友子
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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渡辺 陽二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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佐藤 充
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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永田 祐三
東芝情報システム株式会社
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松岡 泰之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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藤原 友子
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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前田 高志
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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渡辺 陽二
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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岩田 佳久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 35nsサイクルタイムを達成した3.3V単一32Mb NANDフラッシュメモリ
- Multi-stacked 1G cell/layer pipe-shaped BiCS flash memory (集積回路)
- 三次元NANDフラッシュメモリに最適な縦型アレイデバイス開発(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案