三次元NANDフラッシュメモリに最適な縦型アレイデバイス開発(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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三次元NANDフラッシュメモリ(BiCS Flash=Bit-Cost Scalable Flash)に最適な縦型アレイデバイスを開発した.BiCS Flashに特有の「ゲート先作り」プロセスと整合性の良いシリコン窒化膜系ゲート絶縁膜を用い,またディプリーション型ポリシリコン・トランジスタのサブスレッショルド特性改善のためにマカロニ型ボディ・トランジスタを適用した.これら技術に加えて,さらに新規4F^2セルアレイ構造をとることで,BiCS Flashが,微細化のみに頼らずに継続的なビットコスト低減を実現可能な,将来の大容量不揮発メモリとして有効な技術であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-17
著者
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仁田山 晃寛
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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勝又 竜太
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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鬼頭 傑
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福住 嘉晃
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
木藤 大
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
田中 啓安
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青地 英明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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佐藤 充
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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永田 祐三
東芝情報システム株式会社
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松岡 泰之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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田中 啓安
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
岩田 佳久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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