携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)は不揮発性、高い書き込み耐性、高速アクセス時間といった特徴を有しておりユニバーサルメモリになる可能性を持っている。今回、我々は同期・非同期モードを有する疑似SRAM互換の16Mb MRAMの開発を行った。書き込み配線の寄生抵抗を低減するためにFORK配線、および読み出し動作の高速化を目的として書き込みビット線と読み出しビット線を分離するアレイ構成を新たに採用した。結果、従来技術を用いた場合に比べ32%のチップサイズの削減と1.8V電源電圧にて100MHz動作を実現出来た。また、特殊な形状の磁気トンネル接合(MTJ)素子を採用することにより書き込み電流値を従来の形状と比べて20%削減することが出来た。さらにFORK配線技術を適用したことにより書き込み時における半選択時のディスターブの発生する確率を20%削減することが可能になった。以上のことにより、携帯機器に適した低電圧・高速動作が可能で高信頼性のMRAMを実現できた。
- 2006-04-06
著者
-
中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
-
滝沢 亮介
(株)東芝 Soc 研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
清水 有威
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
岩田 佳久
(株)東芝 研究開発センター
-
上田 善寛
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
板垣 清太郎
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
細谷 啓司
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝研究開発センター
-
清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
-
岩田 佳久
東芝 研開セ
-
岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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